Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
profil de dopage en profondeur — gylinis priemaišų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depth impurity profile vok. Tiefendotierungsprofil, n; Tiefenprofil der Dotantenverteilung, n rus. профиль легирующей примеси в глубину, m pranc. profil de dopage en … Radioelektronikos terminų žodynas
profil de dopage vertical — stačiojo legiravimo profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical doping profile vok. vertikales Dotierungsprofil, n rus. профиль легирования в вертикальном направлении, m pranc. profil de dopage vertical, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Dopage (Semi-conducteur) — Pour l’article homonyme, voir Dopage (sport). Un dopant, dans le domaine des semi conducteurs, est une impureté ajoutée en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. Les propriétés des semi … Wikipédia en Français
Dopage (semi-conducteur) — Pour l’article homonyme, voir Dopage (sport). Un dopant, dans le domaine des semi conducteurs, est une impureté ajoutée en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. Les propriétés des semi … Wikipédia en Français
profil latéral de dopage — šoninis legiravimo profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral doping profile vok. laterales Dotierungsprofil, n rus. боковой профиль легирования, m pranc. profil latéral de dopage, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Jonction PN — Jonction P N Jonction p n dans du silicium. Sur ce schéma, les régions p et n sont reliées à des contacts métalliques, ce qui suffit à transformer la jonction en diode. En physique des semi conducteurs, une jonction p n désigne une zone du… … Wikipédia en Français
Jonction P-N — dans du silicium. Sur ce schéma, les régions p et n sont reliées à des contacts métalliques, ce qui suffit à transformer la jonction en diode. En physique des semi conducteurs, une jonction p n désigne une zone du cristal où le dopage varie… … Wikipédia en Français
TRANSISTORS ET THYRISTORS — Dispositif semi conducteur à deux jonctions mis au point, en 1948, par trois chercheurs des Bell Telephone Laboratories (John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, auxquels on décerna le prix Nobel de physique en 1956), le… … Encyclopédie Universelle
Dotierungsprofil — legiravimo profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping profile vok. Dotierungsprofil, n rus. профиль легирования, m pranc. profil de dopage, m … Radioelektronikos terminų žodynas
doping profile — legiravimo profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping profile vok. Dotierungsprofil, n rus. профиль легирования, m pranc. profil de dopage, m … Radioelektronikos terminų žodynas
